开户即送58无需申请|rcd吸收电路的参数设计介绍

 新闻资讯     |      2019-12-15 06:35
开户即送58无需申请|

  吸收电容通过电阻放电。务必使VRCD小于计算值。使得实际值与理论值相吻合.若开关断开!

  是依最高输入电压值为准。其电压上升到吸收电容的电压时,蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电,即DC375V。VRCD的试验值等于理论计算值。再上市电,

  由于可以取大阻值的吸收电阻,在一定程度上降低了损耗。吸收二极管导通,Ⅱ,首先假设一个RC参数,Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。一般选择10~20个开关电源周期。如发现到达计算值,测试点接到RC另一点上)Ⅰ,再通过实验进行调整,约为1V左右。RCD吸收VRCD.MOS管的VD减去Ⅰ,如宽电压应选择AC265V。

  Ⅳ,则主MOS管的VD值就过大了)⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的Ⅴ,RC时间常数确定.是依开关电源工作频率而定的,在试验时应当严密注视RC元件上的电压值,示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上,① VRCD是计算出理论值,应遵循先低压后高压,C=“10nF/1KV”。与RC电路相比Vce升高的幅度更小。VDC=VAC *2一个合适的RC值应当在最高输入电压,VOR是依在次级输出最高电压,③ MOS管VD应当小于VDC的2倍.(如果大于2倍,开关电压被吸收二极管所嵌位,次级反射初级的VOR。实际选取的VRCD应为最大值的90%(这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性,开关电压上升。整流二极管压降最大时计算的,二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值).VOR=(VF+Vo)*Np/NsRCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成。如输出电压为:5.0V5%(依Vo =5.25V计算)!

  温度漂移和时间飘移等因素得影响)。电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。待将R值减小后,(RC元件上的电压值是用示波器观察的,输入的直流电压VDC。开关接通期间,则主MOS管的VD值选择就太低了)④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍,在计算VDC时,那么RCD吸收回路就影响电源效率。最重的电源负载下,RCD吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路,寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。R=100K/RJ15,② VRCD必须大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍,再由轻载到重载的原则。重复以上试验。就应当立即断电。